为权衡船舶分类模型的分类精度和模型大小，提出一种改进GhostNet-50的轻量化卷积神经网络AGNet对自制的船舶数据集进行分类。首先，提出一种融合非对称卷积的Ghost模块，用于提升AGNet卷积过程的特征提取能力；然后，结合瓶颈结构，设计一种非对称Ghost瓶颈模块，在维持模型表达能力的同时能进一步降低计算成本；最后，去除GhostNet-50中的一层1×1卷积，以降低整体模型的参数冗余。实验通过分类精度、参数量、计算量、推理速度等评价指标对所提方法进行多角度对比。实验结果中，AGNet模型在33个类别的测试集中精度达到了93.87%，模型参数量仅为0.72×10⁶，相比GhostNet-50压缩了46.67%，且精度提升了2.93个百分点。实验结果表明：AGNet在较低模型大小的前提下能达到更优的分类效果，可较好应用到船舶分类任务中。

在5G通信时代, 体声波(BAW)滤波器件成为实现高性能射频(RF)滤波的有效解决方案。在当前BAW器件发展最成熟的薄膜体声波谐振器(FBAR)技术和专利被少数几家公司持有的大环境下, 对压电薄膜生长、器件的制备工艺等方面进行突破, 形成独有的BAW器件技术路线显得尤为重要。本文综述了AlN薄膜的生长、AlN材料在BAW滤波器件的发展、基于AlN的BAW器件的制备及其应用。在国内研究者的努力下, 基于单晶AlN的体声波谐振器(SABAR)器件, 通过在材料生长方法及制备工艺上的独立自主创新, 不仅使BAW滤波器件的性能得到了进一步提升, 也给受到国外掣肘的国内射频滤波行业带来了一条摆脱国外“卡脖子”问题的新路线。

采用等离子增强原子层沉积技术于蓝宝石衬底上生长GaN薄膜, 研究氮等离子体预处理衬底对薄膜结晶性能的影响。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线光电子能谱仪等手段对薄膜的晶体结构、表面形貌及薄膜成分进行表征和分析。结果表明, 经预处理的蓝宝石衬底上生长的GaN薄膜晶体质量明显提高, 沿c轴高度择优取向生长; 光学带隙约为3.48eV; 薄膜呈n型导电特性, 电阻率为2.551×10-2Ω·cm, 载流子浓度高达1.876×1019cm-3, 迁移率为13.04cm2·V-1·s-1; 薄膜中Ga元素主要与N元素以Ga-N键生成GaN。

高功率全光纤结构激光系统中，后向受激拉曼散射光会被合束器等器件吸收，产生热量并对器件造成破坏，成为限制功率提升的因素之一。提出前向拉曼兼容光纤激光器概念，通过注入辅助种子光抑制后向光来提高输出功率。建立了含有受激拉曼散射效应（SRS）的主振荡功率放大（MOPA）结构数值模型，模拟分析了后向光的特性，且比较了注入不同功率、不同波长辅助种子光对输出总功率的影响。计算结果表明，当注入辅助种子光在特定波长特定功率时，系统输出功率可提升一倍以上。

在Si(111)衬底上采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术外延生长GaN薄膜, 对外延生长所得GaN薄膜的晶体结构和表面形貌进行表征, 并研究SiNx插入层对GaN薄膜的晶体质量和表面形貌的影响。结果表明, 在Si衬底上生长GaN薄膜过程中引入SiNx插入层可使GaN薄膜的(10-12)面的X-射线回摆曲线的半峰宽(FWHM)值从974.01减小到602.01 arcsec; 表面凹坑等缺陷减少、表面平整度提高。可见, SiNx插入层对在Si衬底上外延生长GaN薄膜的晶体质量和表面形貌有着重要的影响。

In order to study the beam cleanup effect of the stimulated Raman scattering (SRS) in the graded-index multi-mode fiber (GIMF), a continuous wave all-fiber laser at 1117.8 nm and a pulsed fiber amplifier at 1064 nm are built up as the seed and pump source in the Raman fiber amplifier (RFA). In unseeded SRS process, a pump beam with M.2x = 6.7 and M.2y = 6.7 is transferred into a Stokes beam with M.2x = 1.5 and M.2y = 1.7 in the multi-mode fiber with a 62.5 μm graded-index core (numerical aperture =0.29). In the RFA, a seed light with M.2x = 6.7 and M.2y = 7.3 is amplified to a signal light with M.2x = 1.8 and M.2y = 2.0. The experimental results are explained by the simulation on the mode evolution during SRS procession and Raman amplifica-tion in the GIMF. The results show that both the SRS and Raman amplification effect in the GIMF have beam cleanup effect.

脉冲激光沉积(PLD)技术凭借其低温生长优势, 逐步在GaN薄膜外延领域得到广泛应用。回顾了近年来PLD技术外延生长GaN薄膜的研究进展, 包括新型衬底上的GaN薄膜外延研究进展, 以及作为克服异质外延的重要手段——缓冲层技术的发展现状。从目前的研究进展可以看出, 应用PLD技术制备GaN薄膜及其光电器件具有广阔的发展前景。

在蓝宝石(Al2O3)衬底上应用脉冲激光沉积技术(PLD)生长不同厚度的AlN缓冲层后进行GaN薄膜外延生长。采用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)和扫描电子显微镜(SEM)对外延生长所得GaN薄膜的晶体质量和表面形貌进行了表征。测试结果表明: 相比直接在Al2O3衬底上生长的GaN薄膜, 通过生长AlN缓冲层的GaN薄膜虽然晶体质量较差, 但表面较平整; 而且随着AlN缓冲层厚度的增加, GaN薄膜的晶体质量和表面平整度均逐渐提高。可见, AlN缓冲层厚度对在Al2O3衬底上外延生长GaN薄膜的晶体质量和表面形貌有着重要的影响。

高峰值功率的脉冲光纤激光在长距离输出时容易激发受激拉曼散射（SRS）效应。搭建了主振荡功率放大（MOPA）结构的调Q光纤激光器，研究不同工作状态时的输出激光功率、光谱以及脉冲宽度；实验研究了脉冲光在2 km单模光纤中传输时的受激拉曼散射效应，分析了其拉曼散射光谱特性及各级斯托克斯光波的时域特性。实验结果表明：脉冲光在长距离传输时易出现多级受激拉曼散射光，各级斯托克斯光间的频移基本相等，其与入射脉冲的中心波长无关，与光纤本身的材料及掺杂成分有关，且各级拉曼散射光与抽运光在传输中是同步的。高斯形脉冲经受激拉曼散射后，剩余脉冲的形状呈中间凹陷。

光纤纤芯中不同的掺杂分布对高功率多模光纤振荡器输出特性有重要的影响。通过建立多模光纤振荡器理论模型，求解光纤振荡器速率方程组，数值模拟了均匀型及抛物线型Yb3+掺杂的双包层增益光纤接入激光器时的输出特性；并针对纤芯75%区域内均匀掺杂Yb3+的情况，通过引入模式耦合系数矩阵，分析了掺杂分布对光纤振荡器输出特性的影响。计算结果表明,不同的Yb3+掺杂分布对振荡输出特性的影响存在差异；通过设计光纤内Yb3+掺杂分布规律和形状，可有效抑制多模光纤振荡器中的高阶模式，从而使多模光纤振荡器实现基模输出。